@查无此人 进来打脸！我让你看看什么叫做纳米探针

jshkk

探针？我特么以为是挂网站的探针......

IFNAT

本帖最后由 IFNAT 于 2019-2-12 15:47 编辑

不算是行内人，只了解一点芯片行业的东西

实在是看不下去了，出来说几句


1.光刻

从字义上来看，是用光来刻蚀，其实完全不是那么回事，光刻技术可以说是集成电路制造的核心，其实扮演的功能和胶片式照相机差不多，照相机的工作原理是把现实中的景象转换到胶片上，那么光刻其实是把设计人员设置好的图形从光刻板/倍缩光刻板转移到晶圆表面的光刻胶上，分辨率越高，最小图形尺寸就越小，同样尺寸塞进去的晶体管数目也就越多，同样，相机像素越高，拍摄出来的照片放大后越不容易失真（那种一个格子一个格子的感觉）。

光刻结束后，接下来是曝光显影，在曝光过程中，曝光部分的光刻胶会发生光化学反应，根据光刻胶不同，正胶曝光部分会被显影剂溶解，负胶则相反。





2. 第二个问题，曝光

由于光刻胶只对紫外线部分敏感（与材料性质有关），所以通常根据光刻胶的感光度和芯片的关键图形尺寸来选择曝光的波长，波长越短，图形化分辨率越高

计算公式如下：






那么首要问题就是提高分辨率，提高分辨率方法有很多，比如相位移掩膜（PSM），光学临近校正（OPC），浸入式光刻，双重图形光刻技术的等等

其中常用的是浸入式光刻+多重化图形 提高分辨率

浸入式光刻





多重图形是什么意思？其实就是多次图形化，用于降低K1值（系统常数）来转移更细线条


在曝光的过程中，如果图形从光刻板按照1：1的比例转移到晶圆上，那么一次曝光就够了，但是随着晶圆越来越大，光刻板也越来越大显然不现实，其中一个问题是没有符合条件的光源，那么我们就需要把光刻板上的图形按照4:1或者10：1的图形，也就是说如果图形尺寸25nm，只需要制作一个100nm的光刻板就可以了，同时过程中分辨率也会提升

问题来了，如果用4：1的光刻板，就只能做到对部分晶圆曝光，如果曝光整个区域怎么做？这时候就需要步进机，说白了就是一块区域一块区域曝光。







然后就是根据转移到晶圆表面光刻胶上的图形进行刻蚀，基本无外乎三类，物理刻蚀，化学刻蚀，反应刻蚀（结合两者），

最后，其实半导体工艺很繁琐，远远不止这一点内容，如果你对这方面感兴趣，建议你详细阅读






附赠一个CMOS横截面示意图，都是一层一层做上去的







最后的最后我想说一句，如果你身边有准备入坑硬件的孩子，关系好的直接劝退，关系差的立马鼓动！

jackz3

太强了 loc真的什么老哥都有

walsh

吃饱了撑的 我以为是骗了你多少钱了 这事也要开帖子撕一把 谁也说服不了谁 吃瓜群众看笑话

dengdeng

打起来

reizhi

兹瓷

忘江湖

他说“到人类灭绝的那一天也不可能”做出钢铁侠的那个微型反应堆，我觉得这句话太绝对了，我表示质疑。

Rack

自古loc出人才

ALPP

不明觉厉

勺七宝

吊炸天，loc大佬都卧虎藏龙。